Samsung Foundry utilisera son nouveau processus de fabrication SF2 (classe 2 nm) comme premier avec un réseau d'alimentation électrique arrière (BSPDN), selon les derniers rapports.
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Chosun.com rapporte que les résultats prometteurs obtenus grâce à l'utilisation de l'alimentation électrique par l'arrière ont changé la vision de Samsung sur la technologie, voyant l'entreprise repenser l'utilisation du BSPDN pour en faire une technologie de processus commercial. Samsung devait introduire un réseau d'alimentation électrique arrière avec son nœud de fabrication de classe 1,7 nm, mais il arrivera avec son nœud de processus SF2 en 2025.
Comme le souligne Tom's Hardware : il n'y a pas de nœuds de classe 1,7 nm sur les feuilles de route actuelles de Samsung, où nous ne pouvons voir que les nœuds de processus SF2, SF2P et SF1.4. Samsung a utilisé deux puces de test basées sur Arm avec alimentation par l'arrière, obtenant ainsi une réduction de la surface de la puce de 10 % et 19 % sans indiquer au monde quel nœud de processus il utilise.
La fourniture de puissance par l'arrière permet d'utiliser des fils plus épais et à faible résistance, capables de fournir plus de puissance, et donc plus de performances, avec moins d'énergie utilisée. Le document de recherche de Samsung a constaté que la fourniture de puissance arrière présente des avantages tels qu'une amélioration de 3,6 % du Fmax, une réduction de la surface du bloc standard de 2,4 % et une amélioration des performances du bloc standard de 1,6 %.
Samsung obtenant une alimentation électrique dans sa prochaine technologie de processus SF2 semble être une réaction aux progrès d'Intel avec sa technologie de fabrication Intel 20A et Intel 18A à venir en 2025, et au prochain processus N2P de TSMC qui sortira des lignes d'usine de fabrication en 2026-2027.
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