większa pojemność, prędkości, technologia pakowania 3D

Firma Samsung właśnie ogłosiła, że ​​pamięć HBM4 nowej generacji jest w fazie rozwoju i po raz pierwszy pojawi się w 2025 roku, oferując prędkość, pojemność i funkcje nowej generacji.

3

ZOBACZ GALERIĘ – 3 ZDJĘCIA

Południowokoreański gigant zajmujący się wszystkim zamieścił na blogu wyjaśnienie, że jego następna generacja HBM4 jest w fazie rozwoju, a jej flagowym HBM jest obecna pamięć HBM3E „Shinebolt”. Pamięć HBM3E „Shinebolt” ma pojemność 36 GB przy użyciu 24 Gb pamięci DRAM i przepustowości do 9,8 Gb/s, a technologia pamięci obsługuje stosy 12-Hi i zaawansowaną technologię pakowania 2,5D.

HBM4 to kolejny krok Samsunga. Jeśli firma korzysta z tych samych modułów 24 Gb, powinniśmy spodziewać się stosów 16-Hi. Umożliwi to wykorzystanie do 256 GB pamięci HBM4 na procesorach graficznych AI przyszłej generacji z prędkościami, które powinny osiągnąć 10 Gb/s lub więcej. Samsung z pewnością przygotowuje gęstsze moduły DRAM, w których powinniśmy zobaczyć 24 Gb+, które zapewnią całkowitą wydajność procesorów graficznych AI zasilanych HBM4.

Dopiero co informowaliśmy, że południowokoreański rywal Samsunga – SK hynix – nawiązał współpracę z tajwańską firmą TSMC w zakresie rozwoju HBM4 i zaawansowanej technologii pakowania nowej generacji. Samsung przygotowuje się do ogromnej bitwy o dominację pamięci HBM, tworząc niedawno nowy zespół zajmujący się pamięcią HBM, który zwiększy wydajność produkcji, podczas gdy HBM4 przygotowuje się do debiutu w 2025 roku.

Samsung Korea stwierdził w swoim poście na blogu – w tłumaczeniu maszynowym – „Po pierwsze, istnieje„ segmentacja ”. Na początku rynku ważna była wszechstronność sprzętu, ale w przyszłości, gdy usługi będą dojrzewać wokół zabójczych aplikacji, infrastruktura sprzętowa nieuchronnie będzie przejść proces optymalizacji dla każdej usługi. Firma Samsung Electronics planuje zareagować poprzez ujednolicenie rdzenia i dywersyfikację pakietów i matryc podstawowych, takich jak 8H, 12H i 16H.

3

Firma kontynuowała: „Jeśli pierwsza innowacja mająca na celu rozwiązanie problemu ściany zasilania rozpoczęła się od wprowadzenia matrycy podstawowej wykorzystującej proces logiczny, począwszy od HBM4 nowej generacji, druga innowacja pojawi się w miarę stopniowej ewolucji z obecnego 2,5D do 3D Oczekuje się, że pojawi się trzecia innowacja, gdy komórki DRAM i logika będą ewoluować i staną się bardziej zróżnicowane, podobnie jak HBM-PIM. Obecnie prowadzimy rozmowy z klientami i partnerami, aby wdrożyć te innowacje, a my będziemy proaktywnie planować i przygotowywać się do otwarcia sklep”.