SK hynix planuje zaprezentować prototypy swoich nowych układów pamięci AI na targach CES 2025 w tym tygodniu, przedstawiając pamięć 16-Hi HBM3E, która zawiera 16 układów DDR5 DRAM jeden na drugim, co daje pojemność HBM3E do 48 GB.
ZOBACZ GALERIĘ – 2 ZDJĘCIA
SK hynix rzeczywiście zaprezentuje swoje nowe układy pamięci 16-Hi HBM3E na targach CES 2025 o największej pojemności do 48 GB. Nowe chipy pamięci 16-Hi HBM3E zaczęły zyskiwać na popularności w listopadzie 2024 r., kiedy SK hynix poinformowało, że są w fazie rozwoju, mając pewność, że wydajność będzie tak dobra, jak 12-warstwowy HBM3E, który jest najbardziej zaawansowanym modelem w masowej produkcji.
Nowe układy pamięci 16-Hi HBM3E firmy SK hynix będą produkowane przy użyciu zaawansowanego procesu wypełniania metodą rozpływu masy, umożliwiającego zastosowanie 16-warstwowego stosu, przy jednoczesnej skutecznej kontroli wypaczenia chipa i maksymalizacji wydajności termicznej. SK hynix stwierdziło również, że aby osiągnąć 20-warstwowe stosy w procesie bez łączenia hybrydowego, należy zastosować technologię nowej generacji do łączenia ułożonych w stos chipów.
Dyrektor ds. marketingu SK hynix, Justin Kim, powiedział: „Na targach CES zaprezentujemy szeroko rozwiązania zoptymalizowane pod kątem sztucznej inteligencji na urządzeniach i pamięci AI nowej generacji, a także reprezentatywne produkty pamięci AI, takie jak HBM i eSSD. W ten sposób będziemy promować naszą konkurencyjność technologiczną, aby przygotować się na przyszłość jako dostawca pamięci Full Stack AI„.
Dyrektor generalny SK hynix, Kwak Noh-jung, dodał: „Oczekuje się, że w tym roku zmiany na świecie wywołane sztuczną inteligencją jeszcze bardziej przyspieszą, a SK hynix wyprodukuje HBM szóstej generacji (HBM4) w drugiej połowie tego roku, aby przewodzić rynkowi HBM dostosowanemu do indywidualnych potrzeb klientów. Będziemy w dalszym ciągu dokładać wszelkich starań, aby poprzez innowacje technologiczne przedstawić nowe możliwości w erze sztucznej inteligencji i zapewnić niezastąpioną wartość naszym klientom„.