Samsung wyprodukuje kości logiczne dla pamięci HBM4 AI nowej generacji w procesie technologicznym 4 nm

Samsung wykorzysta swój własny proces odlewniczy 4 nm do masowej produkcji pamięci HBM4 nowej generacji, aby bezpośrednio stawić czoła południowokoreańskim konkurentom SK hynix i TSMC w wyścigu o dominację w zakresie pamięci AI.

Otwórz galerię 3

ZOBACZ GALERIĘ – 3 ZDJĘCIA

Z nowego raportu Korea Economic Daily dowiadujemy się, że Samsung wykorzysta 4 nm proces odlewniczy do produkcji kości logicznych układów pamięci HBM4 (HBM szóstej generacji), według źródeł branżowych KED. Sama kostka logiczna znajduje się u podstawy stosów kostek i jest jednym z podstawowych elementów chipa HBM używanego w chipach AI.

SK hynix, Samsung i Micron produkują HBM z układami logicznymi używanymi w najnowszej pamięci HBM3E, ale nowa pamięć HBM4 przyszłości wymaga procesu odlewniczego, który będzie gotowy z dostosowanymi funkcjami wymaganymi przez producentów chipów AI, takich jak NVIDIA, AMD i Intel , i więcej.

Nowy węzeł procesowy 4 nm to charakterystyczny proces odlewania chipów firmy Samsung, zapewniający wydajność przekraczającą 70%. Samsung wykorzystuje proces 4 nm w swoim nowym chipsecie Exynos 2400, który napędza nową flotę smartfonów Samsung z technologią AI z rodziny Galaxy S24.

Źródło branżowe KED wyjaśniło: „Proces 4 nm jest znacznie droższy niż 7 nm i 8 nm, ale jest od nich znacznie lepszy pod względem wydajności chipa i zużycia energii. Samsung, który produkuje HBM3E w procesie 10 nm, chce przejąć tron ​​w sektorze HBM, stosując proces 4 nm„.

Samsung wyprodukuje kości logiczne dla pamięci HBM4 AI nowej generacji w procesie technologicznym 4 nm 909
Otwórz galerię 3

Samsung korzysta ze swojego węzła procesowego 7 nm od 2019 r. i oczekuje się, że firma będzie wykorzystywać procesy odlewnicze 7 nm lub 8 nm do produkcji matryc logicznych HBM4, ale wydaje się, że wszystko wskazuje na nowszy węzeł procesowy 4 nm. SK hynix dominuje w branży pamięci HBM wraz z firmą NVIDIA przez ostatnie kilka lat, nawiązując zakrojoną na szeroką skalę współpracę z TSMC w celu produkcji pamięci HBM4 nowej generacji.

Istnieje również nowy „trójkątny sojusz” pomiędzy NVIDIA, TSMC i SK hynix na rzecz przyszłości pamięci AI – w szczególności HBM4, przy czym SK hynix przyspiesza rozwój HBM4 do premiery w 2025 r., a pamięć przyszłej generacji HBM4E pojawi się w 2026 r. .

Procesory graficzne nowej generacji Blackwell B100 i B200 AI firmy NVIDIA będą korzystać z nowszego standardu pamięci HBM3E, ale firma ujawniła już swój procesor graficzny przyszłej generacji Rubin R100 AI, który będzie korzystał z ultraszybkiej pamięci HBM4, a procesory graficzne Rubin R100 AI pojawią się w czwartym kwartale 2025.