Firma Samsung Electronics pomyślnie zakończyła prace nad przełomową technologią 400-warstwowej pamięci NAND, ogłaszając tę nowinę w swoim Instytucie Badań nad Półprzewodnikami.
ZOBACZ GALERIĘ – 2 ZDJĘCIA
Południowokoreański gigant zaczął przenosić swoją nową, zaawansowaną technologię na masową linię produkcyjną swojego zakładu nr 1 na terenie kampusu w Pyeongtaek, co rozpoczęło się w zeszłym miesiącu. Z nowego raportu Business Korea dowiadujemy się, że to ważne osiągnięcie stawia firmę Samsung na czele branży technologii NAND flash.
Firma SK hynix ujawniła niedawno, że rozpoczęła masową produkcję 321-warstwowej pamięci NAND, ale Samsung jest o krok przed swoim południowokoreańskim rywalem dzięki nowej 400-warstwowej pamięci NAND. Samsung planuje przedstawić szczegółowe informacje na temat swojej nowej, 400-warstwowej pamięci NAND o pojemności 1 TB i 400-warstwowej pamięci NAND z potrójnym poziomem komórek (TLC) podczas Międzynarodowej Konferencji Solid-State Conference (ISSCC) 2025, która odbędzie się w USA w lutym 2025 r.
Oczekuje się, że nowa, 400-warstwowa pamięć TLC NAND o pojemności 1 TB wejdzie do masowej produkcji w drugiej połowie 2025 r., jednak niektórzy eksperci branżowi przewidują, że jeśli Samsung przyspieszy ten proces, produkcja może rozpocząć się pod koniec drugiego kwartału 205 r. Oczekuje się, że Samsung zwiększy wolumen produkcji swoje zaawansowane linie produktów w 2025 r. wraz z nową 400-warstwową pamięcią NAND, przy czym firma ma zainstalować nową 9. generację (286-warstwową) zakłady produkcyjne na terenie kampusu w Pyeongtaek o miesięcznej wydajności od 30 000 do 40 000 płytek.
Samsung po raz pierwszy przedstawił światu technologię 3D NAND w 2013 r., po sukcesie tradycyjnej planerowej (2D) NAND, w której technologia 3D NAND umożliwia pionowe układanie komórek pamięci w celu zwiększenia gęstości i wydajności przechowywania. Wprowadzenie przez firmę Samsung technologii „potrójnego stosu” dla 400-warstwowej pamięci NAND, polegającej na układaniu komórek pamięci w 3 warstwy, co stanowi ogromny postęp w tej dziedzinie.
W obecnej sytuacji Samsung ma dominujący udział w światowym rynku pamięci flash NAND wynoszący 36,9%, a jego udoskonalenia w zakresie nadchodzącej 400-warstwowej pamięci NAND stanowią ekscytujący początek roku 2025 po tym, jak w tym roku przejęła rynek HBM na rzecz SK hynix w okresie szalonego boomu na sztuczną inteligencję.