第 8 世代 V-NAND より 33% 高速

Samsung は、第 9 世代 V-NAND フラッシュ メモリの量産を開始したことを発表しました。このフラッシュ メモリは、すでに市場に出ている第 8 世代 V-NAND と比べて 33% の大幅な性能向上を実現します。

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サムスンの発表は、1テラビット（Tb）のトリプルレベルセル（TLC）第9世代垂直NAND（V-NAND）の量産に関するもので、韓国の巨人はこれによりNANDフラッシュ市場でのリーダーシップが確固たるものになると主張している。 Samsung は業界最小のセル サイズと最も薄いモールドを備えているため、第 9 世代 V-NAND のビット密度を第 8 世代 V-NAND と比較して約 50% 向上させることができます。

セル干渉回避やセル寿命延長などの分野におけるイノベーションがサムスンの新しい第 9 世代 V-NAND に注入され、メモリセルの平面面積を大幅に縮小するダミー チャネル ホールを排除しながら、製品の品質と信頼性が向上しました。

サムスン電子のメモリ事業のフラッシュ製品および技術責任者である SungHoi Hur 氏は次のように述べています。当社は、将来のアプリケーションの飛躍をもたらす業界初の第 9 世代 V-NAND を提供できることを嬉しく思っています。 NAND フラッシュ ソリューションに対する進化するニーズに対応するために、サムスンは次世代製品のセル アーキテクチャと運用スキームの限界を押し広げてきました。 サムスンは、最新の V-NAND を通じて、来るべき AI 世代のニーズを満たす高性能、高密度ソリッド ステート ドライブ (SSD) 市場のトレンドを作り続けていきます。」。

消費電力も改善されており、サムスンは第 8 世代 V-NAND と比較して、低消費電力設計の進歩により 10% 向上したと主張しています。 サムスンは今月、1Tb TLC第9世代V-NANDの量産を開始し、2024年後半にはクアッドレベルセル（QLC）モデルが続く予定だ。