SK ハイニックスは、HBM3e としても知られる第 5 世代高帯域幅メモリ (HBM) を今年発売する計画を正式に発表し、次世代 HBM4 メモリは 2026 年に発売される予定です。
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SKハイニックスのキム・チュンファン副社長は、1月31日にソウル三成地区のCOEXで開催されたSEMICOM Korea 2024の基調講演でこの計画を発表した。「キム副社長は次のように述べた。」AI コンピューティング時代の到来により、生成 AI は急速に進歩しており、生成 AI 市場は年率 35% で成長すると予想されています」。
SK hynix の新しい HBM4 メモリは、2048 ビットのメモリ インターフェイスと、スタックあたり 1.5TB/s という巨大なメモリ帯域幅を備えて登場すると予想されます。 NVIDIA や AMD などによる AI GPU の大きな進歩と、将来の次世代 AI GPU は、HBM4 のような超高速次世代メモリに依存することになります。 SK ハイニックスは、次世代 HBM4 メモリを 2026 年に発売したいと考えていますが、もう少し早く 2025 年後半に登場する可能性があります。
3DRAM サプライヤーのロードマップ (出典: TrendForce)
現在、最大 1.2TB/秒のメモリ帯域幅を備えた HBM3e メモリ スタックがあり、6 つのスタックは 7.2TB/秒の巨大なメモリ帯域幅を備えています。 NVIDIA の次期 H200 AI GPU は最大 4.8TB/秒のメモリ帯域幅を備えているため、2048 ビット インターフェイスでは、HBM4 メモリがスタックごとに 1.5TB/秒以上向上すると期待できます…そして待ちきれません。
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HBM4 メモリを開発しているのは SK ハイニックスだけではなく、Samsung と Micron も同時に HBM4 メモリを搭載しています。 サムスンのメモリ担当エグゼクティブバイスプレジデントであるジェジュン・キム氏は、アナリストや投資家との最新決算会見で、「HBM4は2025年にサンプリング、2026年に量産するというスケジュールで開発中である。生成AIによってカスタマイズされたHBMの需要も高まっている」と述べた。そのため、標準製品だけでなく、ロジックチップを追加して顧客ごとに性能を最適化したカスタマイズHBMも開発中です。詳細な仕様については主要顧客と協議中です。」