Samsung présente la première pile de mémoire HBM3e 12-Hi de 36 Go du secteur, à venir

Consultez notre autre site internet Juexparc.fr pour plus d’actualités et d’informations sur les jeux

Samsung vient d’annoncer avoir terminé le développement de ses nouvelles piles de mémoire HBM3e 12-Hi 36 Go ; dans la foulée de l’annonce de Micron, c’est a commencé la production en série de son 8-Hi 24 Go HBM3e souvenir… quelle annonce.

Ouvrir la galerie 2

VOIR LA GALERIE – 2 IMAGES

Advertisement

Le nouveau nom de code Shinebolt HBM3e de Samsung comprend des piles HBM3e de 12 Hi 36 Go avec 12 dispositifs de mémoire de 24 Go placés sur une puce logique dotée d’une interface mémoire de 1 024 bits. Les nouveaux modules de mémoire HBM3e de 36 Go de Samsung offrent des taux de transfert de 10 GT/s, offrant aux GPU AI de nouvelle génération jusqu’à 1,28 To/s de bande passante mémoire par pile, la bande passante mémoire par appareil (ou par module) la plus élevée du secteur.

Yongcheol Bae, vice-président exécutif de la planification des produits de mémoire chez Samsung Electronics, a déclaré dans le communiqué de presse : «Les fournisseurs de services d’IA du secteur exigent de plus en plus des HBM dotés d’une capacité plus élevée, et notre nouveau produit HBM3E 12H a été conçu pour répondre à ce besoin. Cette nouvelle solution de mémoire fait partie de notre volonté de développer des technologies de base pour les HBM à pile élevée et d’assurer un leadership technologique sur le marché des HBM à haute capacité à l’ère de l’IA.« .

Samsung utilise plusieurs technologies avancées pour ses nouvelles piles de mémoire Shinebolt 12-Hi 36 Go HBM3e, avec les produits de mémoire HBM3e de 36 Go basés sur des dispositifs de mémoire utilisant la technologie de fabrication de classe 10 nm (14 nm) de 4e génération de Samsung, appelée et utilisant l’ultraviolet extrême (EUV). ) lithographie.

Samsung utilise son film non conducteur à compression thermique avancée (TC NCF) qui permet à Samsung d’atteindre le plus petit écart de l’industrie entre les dispositifs de mémoire à sept micromètres (7 µm). Samsung augmente la densité verticale et atténue la déformation des puces, grâce à la réduction des écarts entre les DRAM.

Advertisement

La société estime que ses nouveaux modules HBM3e 12-Hi 36 Go peuvent augmenter la vitesse moyenne de formation en IA jusqu’à 34 %, tout en multipliant par 11,5 le nombre d’utilisateurs simultanés de services d’inférence, mais la société n’a pas détaillé le taille du LLM ici.

Samsung propose déjà à ses clients ses nouveaux modules de mémoire HBM3e 12-Hi 36 Go, avec une production de masse prévue pour le premier semestre 2024.

Advertisement