KIOXIA remporte un prix pour l'ensemble de sa carrière pour son rôle dans la création et le développement de la mémoire flash

La mémoire flash et le stockage sont omniprésents : dans les PC que nous utilisons, les smartphones, les SSD et les centres de données, alimentant tout, des montres connectées aux puissantes charges de travail d'IA. La mémoire flash a changé la donne, non seulement en contribuant à inaugurer une nouvelle ère d'appareils plus petits et plus intelligents, mais a également révolutionné plusieurs secteurs.

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KIOXIA, l'inventeur de la mémoire flash NAND, est le lauréat du prix FMS : the Future of Memory and Storage Lifetime Achievement Award pour 2024. L'équipe d'ingénieurs de l'entreprise (Hideaki Aohi, Ryota Katsumata, Masaru Kito, Masaru Kido et Hiroyasu Tanaka) recevra le prix pour le « travail pionnier de l'entreprise de stockage dans le développement et la commercialisation de la mémoire flash 3D ».

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KIOXIA a présenté pour la première fois sa mémoire flash 3D innovante BiCS FLASH en 2017, et en 2015, elle a présenté la première mémoire flash 3D 256 gigabits et 48 couches au monde. L'empilement 3D augmente non seulement la capacité et les performances, mais le fait également avec fiabilité et efficacité, ce qui en fait le type de technologie révolutionnaire de l'entreprise que les lauréats célèbrent.

« L'innovation de KIOXIA dans le domaine de la mémoire flash 3D a révolutionné le stockage de données, le transformant d'une simple avancée des technologies existantes en une solution révolutionnaire qui répond aux exigences de l'informatique moderne », a déclaré Chuck Sobey, président général de FMS. « Nous sommes ravis de présenter cette importante contribution et sommes impatients de voir ce que l'avenir nous réserve. »

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« L'innovation technique de KIOXIA dans le domaine de la mémoire flash 3D ne peut être surestimée », a déclaré Atsushi Inoue, vice-président et directeur technique de la division mémoire de KIOXIA Corporation. « Notre technologie a établi de nouvelles normes dans l'industrie, permettant à la mémoire flash d'augmenter considérablement la densité de stockage par cellule, puce et boîtier. Je suis ravi de voir nos réalisations reconnues et j'ai hâte de constater leur influence continue dans les années à venir. »

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