Samsung vient d'annoncer qu'il a commencé la production en série de sa mémoire flash V-NAND de 9e génération, qui offre une amélioration considérable des performances de 33 % par rapport à la V-NAND de 8e génération déjà sur le marché.
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L'annonce de Samsung concerne la production en série de sa NAND verticale de 9e génération (V-NAND) à triple niveau (TLC) de 1 térabit (To), qui, selon le géant sud-coréen, consolide son leadership sur le marché du flash NAND. Samsung possède la taille de cellule la plus petite et le moule le plus fin du secteur, ce qui permet à l'entreprise d'améliorer la densité binaire de la V-NAND de 9e génération d'environ 50 % par rapport à la V-NAND de 8e génération.
Des innovations dans des domaines tels que l'évitement des interférences cellulaires et l'extension de la durée de vie des cellules ont été intégrées dans la nouvelle V-NAND de 9e génération de Samsung, améliorant la qualité et la fiabilité du produit tout en supprimant les trous de canal factices qui réduisent considérablement la surface plane des cellules de mémoire.
SungHoi Hur, responsable des produits et technologies Flash de l'activité mémoire chez Samsung Electronics, a déclaré : «Nous sommes ravis de proposer la première V-NAND de 9e génération du secteur, qui fera progresser les applications futures. Afin de répondre aux besoins changeants en matière de solutions flash NAND, Samsung a repoussé les limites de l'architecture cellulaire et du schéma opérationnel de notre produit de nouvelle génération. Grâce à notre dernier V-NAND, Samsung continuera de définir la tendance sur le marché des disques SSD (Solid State Drive) hautes performances et haute densité qui répond aux besoins de la prochaine génération d'IA.« .
La consommation d'énergie a également été améliorée, Samsung revendiquant une augmentation de 10 % grâce à des progrès en matière de conception à faible consommation, par rapport au V-NAND de 8e génération. Samsung a lancé ce mois-ci la production en série du V-NAND TLC de 9e génération de 1 To, qui sera suivi par des modèles de cellules à quatre niveaux (QLC) au second semestre 2024.
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